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NTJD5121NT1G封裝SOT-363雙N溝道MOS場效應(yīng)管ON安森美

MOSFET – Power, Dual, N-Channel With ESD Protection, SC-88 60 V, 295 mA

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產(chǎn)品介紹

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訂購信息

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器件類目

產(chǎn)品型號

封裝描述

環(huán)境溫度

是否在產(chǎn)

應(yīng) 用

絲印

雙N溝道

NTJD5121NT1G

SOT-363

?55~150℃

是

低側(cè)負載開關(guān)、直流轉(zhuǎn)換器(降壓和增壓電路)

示意圖

Sketch Map

resource/images/b664d468e46448fe9d44a70346b8491a_2.jpg

產(chǎn)品特性

Product characteristics

Low RDS(on)
Low Gate Threshold

ESD Protected Gate
Low Input Capacitance

應(yīng)用范圍

Scope of application

: UPS電源

: 手機充電器

: 電源適配器

: 多端口墻壁充電器

公司優(yōu)勢

Company advantage

: 正

原裝現(xiàn)貨，技術(shù)選型

: 快

云倉現(xiàn)貨，快速配送

: 全

品類齊全，性能優(yōu)良

: 省

工廠直銷，樣品申請

技術(shù)團隊

Technical team

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